О влиянии фотоиндуцированного объемного заряда на концентрацию фотоносителей в полупроводниках с примесной рекомбинацией при межзонной фотогенерации слабым излучением
Холоднов В.А.1, Другова А.А.1
1Государственный научный центр РФ, Государственное унитарное предприятие НПО "Орион", Москва
Email: khol.orion@g23.relcom.ru
Поступила в редакцию: 15 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
Вне приближения квазинейтральности выведены аналитические выражения для средних значений концентраций фотоэлектронов и фотодырок в случае одноуровневой рекомбинационной примеси с сильной поверхностной рекомбинацией. Показано, что приближение квазинейтральности становится некорректным по мере уменьшения толщины образца вдоль потока света.
- Холоднов В.А. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67. В. 9. C. 655--660
- Холоднов В.А., Другова А.А. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 5. С. 1--8
- Kholodnov V.A. // Proceedings of SPIE. 1999. V. 3819. P. 98--115
- Kholodnov V.A., Drugova A.A., Kurochkin N.E. // Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors (Osaka, Japan, Sept. 17--22, 2000). 2001. Part II. P. 1445--1446
- Смит P. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 600 с
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 688 с
- Rogalski A. et al. Infrared Photon Detectors. Bellingham--Washington USA: SPIE Opt. Engin. Press, 1995. 644 p
- Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Solid-St. Electron. 1995. V. 38. N 6. P. 1247--1252
- Холоднов В.А. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 6. С. 1011--1025
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Кн. 1. 455 с. Кн. 2. 455 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук