Экспериментально исследованы состояние поверхности арсенида галлия n-типа, подвергнутого сверхвысокочастотному вакуумно-плазменному травлению (СВЧ ВПТ) в различных газовых смесях, и влияние состояния поверхности полупроводника на фотоэлектрические характеристики структур металл-полупроводник-металл с двойным барьером Шоттки (МПМДБШ). Получены зависимости скорости травления поверхности арсенида галлия от процентного состава газовых смесей и температуры подложки. Показано, что режимы СВЧ ВПТ сильно влияют на фотоэлектрические свойства МПМДБШ структур и могут приводить как к росту, так и к спаду их фоточувствительности. Обнаружены оптимальные режимы СВЧ ВПТ, когда скорость травления, качество поверхности полупроводника и фоточувствительность МПМДБШ структур остаются высокими.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.