"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
О возможности создания диода со сверхрезким восстановлением запирающих свойств на основе карбида кремния
Грехов И.В., Иванов П.А., Константинов А.О., Самсонова Т.П.
Поступила в редакцию: 14 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Впервые экспериментально показана возможность сверхрезкого (<1 ns) обрыва обратного тока при восстановлении 4H--SiC-диодов со структурой p+p0n+. Показано, что восстановление таких диодов во многом аналогично соответствующему процессу в кремниевых инверсно восстанавливающихся диодах (ИВД).
  • Kordina O., Bergman J.P., Henry A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 1561--1563
  • Sugawara Y., Asano K., Singh R. et al. // Silicon Carbide and Related Materials / Carter C.H., Devaty R.P., Rohrer G.S., ed. / 1999. TRANS TECH PUBLICATIONS LTD. Switzerland, 2000. Materials Science Forum. V. 338--342. P. 1371--1374
  • Agarwal A.K., Ryu S.H., Singh R. et al. // Silicon Carbide and Related Materials / Carter C.H., Devaty R.P., Rohrer G.S., ed. 1999. TRANS TECH PUBLICATIONS LTD. Switzerland, 2000. Materials Science Forum. V. 338--342. P. 1387--1390
  • Ryu S.H., Agarwal A.K., Singh R. et al. // IEEE Electron. Dev. Lett. 2001. V. 22. P. 124--126
  • Grekhov I.V., Efanov V.M., Kardo--Sysoev A.F. et al. // Sol. St. Electr. 1985. V. 28. P. 597--599
  • Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф., Смирнова И.А. // ФТП. 1986. Т. 20. С. 314--317
  • Грехов И.В. // Изв. РАН. Сер. Энергетика. 2000. N 1. С. 53--62
  • Грехов И.В., Козлов В.А., Шендерей С.В. Свидетельство РФ на полезную модель N 7784 от 23.04.1997. Опубл. 16.09.98. Бюллетень X19
  • Воронков В.Б., Грехов И.В., Коротков С.В. и др. // ПТЭ. 2002. N 2. С. 1--3
  • Levinstein M.E., Mnatsakanov T.T., Ivanov P.A. и др. // IEEE Trans. on Electr. Dev. 2001. V. 48. P. 1703--1710
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.