Вышедшие номера
Процессы дрейфа неравновесных носителей тока в GaAs-фотоприемниках под действием переменной деформации
Заверюхин Б.Н.1, Заверюхина Н.Н.1, Муминов Р.А.1, Турсункулов О.М.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 20 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Исследуются процессы дрейфа неравновесных носителей заряда в GaAs-образцах. Показано, что электрические и ультразвуковые поля существенно влияют на перенос носителей в приемниках излучения из пьезополупроводников с ловушками.
  1. Фаренбурх А., Бьюб Р. Солнечные элементы, теория и эксперимент. М.: Энергоатомиздат, 1987. 280 с
  2. Такер Дж., Рэмптон В. Гиперзвук в физике твердого тела. М.: Мир, 1975. С. 274--326
  3. Гаибов А.Г., Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А., Нигманов O., Шамагдиевa А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. В. 10. С. 616
  4. Заверюхин Б.Н. Исследование особенностей переноса заряда в полупроводниковых детекторах. Канд. дис. Киев, 1990
  5. Азимов С.А., Букки С.М., Муминов Р.А., Чебиот У.В. // Атомная энергия. 1976. Т. 40. В. 4. С. 346--347
  6. Айдинова Д.М., Александров А.А., Букки С.М., Кумин В.В., Ляпидевский В.К., Муминов Р.А., Яфасов А.Я. // ПТЭ. 1978. N 3. С. 76--78
  7. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985. С. 280
  8. Еремин В.К. Исследование влияния объемного заряда на свойства полупроводниковых детекторов ядерных излучений. Канд. дис. Л., 1978
  9. Заверюхин Б.Н., Муминов Р.А. // Докл. АН УзССР. 1988. Т. 3. С. 32--33

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.