Вышедшие номера
Роль нанокластеров кристаллизующегося компонента в процессах объемной кристаллизации
Мирзоев Ф.1,2, Шелепин Л.А.1,2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия
Email: mirzo@lazer.nictl.msk.su
Поступила в редакцию: 9 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Предложена аналитическая модель кристаллизации веществ с учетом образования в пересыщенной фазе нанокластеров, возникновения и роста зародышей кристаллов за счет присоединения нанокластеров. Показано, что в таких системах возможно появление самоподдерживающихся связанных колебаний пересыщения кристаллизующегося вещества, плотности нанокластеров и функций распределения частиц твердой фазы. Определены условия появления и характеристики таких автоколебательных структур.
  1. Буевич Ю.А., Мансуров В.В. // ДАН. 1991. Т. 319. N 4. С. 862--865
  2. Буевич Ю.А., Мансуров В.В., Наталуха И.А. // ИФЖ. 1985. Т. 49. N 2. С. 233--241
  3. Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1975
  4. Мирзоев Ф., Шелепин Л.А. // Кратк. сообщ. по физике ФИАН. 2000. N 10. С. 25--31; 2001. N 2. С. 35--42
  5. Регель В.В., Слуцкер А.И., Томашевский Э.И. // Кинетическая природа прочности твердых тел. М.: Наука, 1974
  6. Петров Ю.М. // Кластеры и малые частицы. М.: Наука, 1986
  7. Lazer and Electron-beam Processing of Materials / Eds. by C.W. White and P.S. Peercy. NY: Acad. Press, 1980. 769 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.