Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение эпитаксиальных слоев твердого раствора (GaAs)1-x(ZnSe)x из свинцового раствора-расплава
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 2 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
Эпитаксиальные слои твердых растворов (GaAs)1-x(ZnSe)x были выращены из свинцового раствора-расплава, ограниченного горизонтально расположенными подложками GaAs. Изучены состав и однородность твердого раствора. Приведены некоторые электрофизические параметры.
- Горюнова Н.А., Федорова Н.Н. // ФТТ. 1959. В. 1. С. 344
- Шевченко Е.Г. и др. // Неорганические материалы. 1973. N 9. С. 35
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
