Вышедшие номера
Резонансное поглощение инфракрасного излучения системой металл--тонкий слой диэлектрика--диафрагма с отверстием
Усанов Д.А.1, Горбатов С.С.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: usanovda@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Установлено, что в системе металл-тонкий слой диэлектрика-диафрагма с отверстием наблюдается резонансное поглощение инфракрасного излучения, связанное с эффектом взаимодействия с отражающей металлической поверхностью искаженного на отверстии ближнего поля падающей волны. Данное явление может быть использовано, например, для создания перестраиваемых фильтров инфракрасного излученияя.
  1. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Вениг С.Б., Орлов В.Е. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 18. С. 47--49
  2. Богда Г.И., Некрасов М.М. Пленочная электроника и полупроводниковые интегральные схемы. Киев: Вища школа, 1979. 208 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.