Экспресс-метод контроля зарядовых свойств ионно-легированных структур металл--окисел--полупроводник
Бормонтов Е.Н.1, Борисов С.Н.1, Леженин В.П.1, Лукин С.В.1
1Воронежский государственный университет
Поступила в редакцию: 22 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
Представлена методика аналитического моделирования высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) ионно-легированных МОП-структур, использующая гауссовскую аппроксимацию профиля имплантированной примеси и приближение истощенного слоя (в области модуляции емкости). Проиллюстрировано применение теоретических ВФХ, рассчитанных по новой методике, для контроля зарядовых параметров МОП-структур. Методика рекомендуется для быстрой оценки зарядовых характеристик границы раздела окисел-кремний.
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с
- Бормонтов Е.Н., Головин С.В. // Изв. вузов. Электроника. 1998. N 4. С. 95--100
- Garrett C.G., Brattain W.H. // Phys. Rev. 1955. V. 99. N 2. P. 376
- Karmalkar S., Bhat K.N. // Sol.-St. Electron. 1991. V. 34. P. 681--692
- Бормонтов Е.Н., Борисов С.Н., Волков О.В., Левин М.Н., Лукин С.В. // Изв. вузов. Электроника. 1999. N 5. С. 33--39
- Ishivara H. et al. Ion implantation in semiconductors. N. Y.: Plenum Press, 1975
- Bormontov E.N., Lezhenin V.P. Si--SiO2 interface property vs T with respect to boron // 1997 MRS Spring Meeting. San Francisco. Symposium E. Abstract \# 10425
- Terman L.M. // Sol.-St. Electron. 1962. V. 5. N 3. P. 155--163
- Бормонтов Е.Н., Леженин В.П. // Микроэлектроника. 1995. Т. 24. N 5. С. 343--348
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук