На основе физико-математической модели исследован процесс обрыва тока высокой плотности в структуре SOS-диода. Установлено, что при глубине залегания p-n-перехода ~200 mum, времени прямой накачки менее 60 ns и времени обратной накачки ~10-15 ns реализуется субнаносекундный обрыв тока плотностью 10³-10⁴ A/cm². Механизм обусловлен возникновением в p-области структуры двух пространственно разделенных областей сильного поля, расширяющихся на стадии обрыва тока со скоростью, близкой к насыщенной.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.