Вышедшие номера
Рост трубчатых структур оксида цинка
Абдуев А.Х.1, Ахмедов А.К.1, Барышников В.Г.1, Шахшаев Ш.О.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Изучены условия и механизмы формирования полых кристаллических и дендритных структур, а также вискеров оксида цинка при отжиге прессованных смесей оксида цинка и углерода. Показано, что рост полых структур обусловлен взаимодействием реагентов в таблетке, образованием газонепроницаемой внешней оболочки ZnO и доставкой паров Zn и CO2 по растущей трубке. Ориентация полых кристаллов определяется направлением потока паров Zn. Процесс воспроизведен при истечении паров Zn из ячейки Кнудсена.
  1. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. 304 с
  2. Бережкова Г.В. Нитевидные кристаллы. М.: Наука, 1969. 158 с
  3. Makoto Ishii, Hatsujiro Hashimoto // Jap. J. Appl. Phys. 1969. V. 8. N 9. P. 1107--1113
  4. Park Y.S., Renolds D.C. // Appl. Phys. 1967. V. 38. N 2. P. 756--760
  5. Ikumaro Kubo // Jap. J. Appl. Phys. 1965. V. 4. 225--226
  6. Ram Bilas Sharma // J. Appl. Phys. 1970. V. 41. N 4. P. 1866--1867
  7. Sharma S.D., Subhash C. Kashyap // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. N 13. P. 5302--5304
  8. Hiroshi Iwanaga, Noboru Shibata // J. Crystal Growth. 1974. V. 24/25. P. 357--361

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.