Вышедшие номера
Микролегирование приповерхностных слоев арсенида галлия ионами водорода
Анисимов В.В.1,2, Демкин В.П.1,2, Квинт И.А.1,2, Мельничук С.В.1,2, Семухин Б.С.1,2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 16 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Предлагается метод микролегирования приповерхностных слоев полупроводников ионами водорода с использованием плазменно-пучкового разряда. Проведенный эксперимент на арсениде галлия показал, что данный метод является эффективным по сравнению с известными способами модифицирования приповерхностных слоев.