Вышедшие номера
Применение сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) для исследования локальной фотопроводимости квантоворазмерных полупроводниковых структур
Алешкин В.Я.1, Бирюков А.В.1, Гапонов С.В.1, Красильник З.Ф.1, Миронов В.Л.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Показана возможность применения СТМ для регистрации спектров фотопроводимости полупроводниковых квантоворазмерных структур с высоким пространственным разрешением. Исследована локальная фотопроводимость квантовых ям и квантовых точек на основе GaAs/InxGa1-xAs в зависимости от глубины залегания квантоворазмерной структуры относительно приповерхностной области пространственного заряда. Для квантовых точек вблизи поверхности образца получены спектры, содержащие особенности, связанные с их индивидуальным энергетическим спектром.
  1. Leitch A.W., Ehlers H.L. // Infrared Phys. 1988. 28. N 6. P. 433--440
  2. Marzin J.-Y., Gerard J.-M., Izrael A. et al. // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 73. N 5. P. 716--719
  3. Алешкин В.Я., Гапонова Д.М., Гусев С.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. N 1. С. 111--116
  4. Buratto S.K., Hsu J.W.P., Betzig E. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 21. P. 2654--2656
  5. Unlu M.S., Goldberg B.B., Herzog W.D. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. N 13. P. 1862--1864
  6. Grober R.D., Harris T.D., Trautman J.K. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 11. P. 1421--1423
  7. Harris T.D., Gershoni D., Pfeiffer L. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 1569--1574
  8. Chavez--Pirson A., Temmyo J., Kamada H. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 26. P. 3494--3496
  9. Волгунов Д.Г., Гапонов С.В., Дряхлушин В.Ф. и др. // Приборы и техника эксперимента. 1998. N 2. С. 132--137

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.