Отжиг структур алюминий--диоксид кремния--кремний, облученных alpha-частицами
Васин С.В.1, Тулвинский В.Б.1, Шипатов Э.Т.1
1Ульяновский государственный университет
Поступила в редакцию: 22 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Исследован изохронный отжиг структур Al-SiO2-Si в диапазоне температур 20-450oC после облучения alpha-частицами от радиоизотопного источника Cm244. В указанной области температур обнаружен эффект уменьшения положительного заряда в диэлектрике ниже исходных значений. Высказано предположение, что эффект может быть результатом дефектообразования и структурных перестроек в окрестности межфазной границы Si/SiO2 в процессе облучения и отжига.
- Devine R.A.B. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. V. 41. N 3. P. 452--459
- Oldham T.R., McLean F.B., Boesch H.E.Jr. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1989. V. 4. P. 986--999
- Winokur P.S., Schwank J.R., McWhorter P.J. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1984. V. 31. N 6. P. 1453--1460
- Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с
- Горелкинский Ю.В., Невинный Н.Н., Люц Е.А. // Поверхность. 1994. N 6. C. 79--84
- McWhorter P.J., Miller S.L., Miller W.M. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. V. 37. N 6. P. 1682--1689
- Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук