Вышедшие номера
Пикосекундные полупроводниковые лазеры с многосекционным насыщающимся поглотителем, созданные имплантацией тяжелых ионов
Венус Г.Б.1, Гаджиев И.М.1, Губенко А.Е.1, Ильинская Н.Д.1, Портной Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Разработана методика проведения имплантаций высокоэнергетичными тяжелыми ионами через эмиттерный слой полупроводникового лазера, предназначенная для создания распределенных областей сверхбыстродействующего насыщающегося поглотителя, интегрированных в резонатор QW-лазера. На основе этой методики были созданы пикосекундные лазерные диоды повышенной средней мощности и продемонстрирована работа диодного лазера в режиме синхронизации мод на сталкивающихся импульсах с многосекционным насыщающимся поглотителем.
  1. Zhu B., White I.H., Williams K.A., Laughton F.R. // IEEE Photonics Technology letters. 1996. V. 8. P. 503--505
  2. Portnoi E.L., Venus G.B., Khazan A.A., Gadjiev I.M., Shmarcev A.Yu., Frahm J., Kuhl D. // IEEE J. of Selected Topics in Quantum Electronics. 1997. V. 3. N 2. P. 256--260
  3. Stelmakh N., Lourtioz J.N., Marquebielle G., Hirtz J.P. // IEEE J. of Selected Topics in Quantum Electronics. 1997. V. 3. N 2. P. 245--249
  4. Аврутин Е., Портной М. // ФТП. 1988. В. 22. С. 1524--1526
  5. Bottcher E.H., Droge E., Bimberg D., Kuhl D., Frahm J., Venus G.B., Portnoi E.L. // LEOS'97. 10th Annual Meeting. 1997. V. 2. P. 319--20
  6. Portnoi E., Avrutin E., Chelnokov A.V. Joint Soviet--American Workshop on the Physics of Semiconductor Lasers, Leningrad, 1991. New York: American Institute of Physics. P. 58--66
  7. Martins-Filho J.F., Avrutin E.A., Ironside C.N., Roberts J.S. // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. June 1995. V. 1. N 2. P. 539--551

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.