Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1999, выпуск 12 » Статья стр. 1
>>>
Лазерная генерация в вертикальном направлении в многослойных квантово-размерных InGaN/GaN гетероструктурах
Сахаров А.В.1, Лундин В.В.1, Семенов В.А.1, Усиков А.С.1, Леденцов Н.Н.1, Цацульников А.Ф.1, Байдакова М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
PDF версия
Обнаружена лазерная генерация в направлении, перпендикулярном к поверхности в многослойных квантово-размерных структурах InGaN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. При высоких плотностях возбуждения в спектре люминесценции, модулированном модами резонатора Фабри-Перо, образованного границей GaN-воздух и GaN-сапфировая подложка, одна из мод резко усиливается и начинает доминировать в спектре. Обнаружен резко выраженный пороговый характер зависимости интенсивности люминесценции от плотности накачки. Пороговая плотность возбуждения в вертикальном направлении в 5-6 раз превышает порог стимулированного излучения при наблюдении с торца структуры. Коэффициент усиления в активной области на пороге поверхностной генерации оценен как 2· 105 cm-1. Обнаружен эффект взаимодействия мод резонатора и спектра усиления, заключающийся в смещении мод (до 2.6 nm) на коротковолновом краю спектра люминесценции в сторону больших энергий фотона. Характеристическая температура (T0), измеренная в диапазоне от 16 до 120 K, составила 480 K. При более высоких температурах T0=70 K.
  1. Nakamura S., Senoh M., Hagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T., Kiyoku H., Sugimoto Y., Kozaki T., Umemoto H., Sano M., Chocho K. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 2014
  2. Kim S.T., Amano H., Akasaki I. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67 (2). P. 267
  3. Asif Kham M., Krishnankutty S., Skogman R.A., Kuznia J.N., Olson D.T., George T. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65 (5). P. 520
  4. Keller S., Keller B.P., Kapolnek D., Abare A.C., Masui H., Coldren L.A., Mishra U.K., Den Baars S.P. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68 (22). P. 3147
  5. Krestnikov I.L., Strassburg M., Caesar M., Shchukin V.A., Hoffmann A., Pohl U.W., Bimberg D., Ledentsov N.N., Malyshkin V.G., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Litvinov D., Rosenauer A., Gethsen D. // Proceedings ICPS24, Jerusalem, August 2--7, 1998 (World Scientific, 1998)
  6. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N.,Yamada T., Matsushita T., Sugimoto Y., Kiyoku H. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. P. 2753
  7. Vertikov A., Nurmikko A.V., Doverspike K., Bulman G., Edmond J. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 493; Tachibana K., Someya T., Arakawa Y. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 383; Martin R.W., Middleton P.G., O'Donnell K.P., Van der Stricht W. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 263
  8. Сахаров А.В., будет опубликовано
  9. Ledentsov N.N., Bimberg D., Ustinov V.M., Maximov M.V., Alferov Zh.I., Kalosha V.P., Lott J.A. // Semiconductor Science and Technology. 1999. V. 13. P. 99
  10. Kirstaedter N., Ledentsov N.N., Grundmann, Bimberg D., Richter U., Ruvimov S.S., Werner P., Heydenreich J., V.M., Ustinov V.M., Maximov M.V., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. // Electronics Letters. 1994. V. 30. P. 1416
  11. Cho Y., Gainer G.H., Fischer A.J., Song J.J., Keller S., Mishra U.K.,Den Baars S.P. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73 (10). P. 1370

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme