Вышедшие номера
Лазерная генерация в вертикальном направлении в многослойных квантово-размерных InGaN/GaN гетероструктурах
Сахаров А.В.1, Лундин В.В.1, Семенов В.А.1, Усиков А.С.1, Леденцов Н.Н.1, Цацульников А.Ф.1, Байдакова М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Обнаружена лазерная генерация в направлении, перпендикулярном к поверхности в многослойных квантово-размерных структурах InGaN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. При высоких плотностях возбуждения в спектре люминесценции, модулированном модами резонатора Фабри-Перо, образованного границей GaN-воздух и GaN-сапфировая подложка, одна из мод резко усиливается и начинает доминировать в спектре. Обнаружен резко выраженный пороговый характер зависимости интенсивности люминесценции от плотности накачки. Пороговая плотность возбуждения в вертикальном направлении в 5-6 раз превышает порог стимулированного излучения при наблюдении с торца структуры. Коэффициент усиления в активной области на пороге поверхностной генерации оценен как 2· 105 cm-1. Обнаружен эффект взаимодействия мод резонатора и спектра усиления, заключающийся в смещении мод (до 2.6 nm) на коротковолновом краю спектра люминесценции в сторону больших энергий фотона. Характеристическая температура (T0), измеренная в диапазоне от 16 до 120 K, составила 480 K. При более высоких температурах T0=70 K.