Влияние ловушек на запуск лавины при пробое фосфидгаллиевых p-n-переходов
Булярский С.В.1, Сережкин Ю.Н.1, Ионычев В.К.1
1Мордовский государственный университет, Саранск Ульяновский государственный университет, Ульяновск
Поступила в редакцию: 5 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
Сообщается о сильном влиянии глубоких центров на статистическую задержку микроплазменного пробоя в фосфидгаллиевых светодиодах красного свечения. Предполагается, что это явление связано с запуском лавины электронами Шокли, либо с подпороговыми механизмами ударной ионизации. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением напряжения на p-n переходе статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров.
- Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия, 1980. 152 с
- Kimura C., Nishizawa J. // Jap. J. Appl. Phys. 1968. V. 7. N 12. P. 1453--1463
- Ferenczi G. // Solid-State Electron. 1974. V. 17. N 9. P. 903-911
- Nutall K.I., Nield M.W. // Solid-State Electron. 1975. V. 18. N 1. P. 13--23
- Булярский С.В., Ионычев В.К., Сережкин Ю.Н. // Межд. конф. "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах". Ульяновск, 1997. С. 77--78
- Кюрегян А.С., Сережкин Ю.Н. // ФТП. 1981. Т. 15. В. 4. С. 689--693
- Кюрегян А.С. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 4. С. 690--694
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук