Вышедшие номера
Термоэлектрический преобразователь
Каримов А.В.1, Бахронов Ш.Н.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 5 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Приведены результаты исследования управляемого полем и температурой термополевого транзистора. Экспериментально показано, что термополевой транзистор в сравнении с терморезисторами имеет более широкие возможности управления его рабочей точкой и выходными характеристиками.
  1. Агеев Ю.И., Акперов М.М., Кобахидзе К.З., Небучинов М.В., Стильбанс Л.С., Токарбаев Т.Т., Шер Э.М. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 22. С. 1396--1400
  2. Агеев Ю.И., Билялов А.Э., Стильбанс Л.С., Шер Э.М. // Письма в ЖТФ. 1981. Т. 7. В. 17. С. 1058--1061
  3. Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Пыжов Я.Г., Стильбанс Л.С., Чудновский Ф.А., Шер Э.М. // ФТП. 1979. Т. 13. В. 7. С. 1446--1447
  4. Федоров М.И., Зайцев В.И., Саломкин Ф.Ю., Ведерников М.В. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 15. С. 64--69
  5. Игумнов Д.В., Громов И.С. Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов. М.: Радио и связь, 1981. 64 с
  6. Shockley W. // Bell. Syst. Techn. J. 1949. V. 28. N 3. P. 435--485
  7. Воронов В.Ф., Ахмелкин А.Г., Докучаев И.М. и др. Токи затвора в полевых транзисторах с p-n-переходом. Обзоры по электронной технике. Сер. "Полупроводниковые приборы". М.: ЦНИИ Электроника, 1972. В. 4(22). 31 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.