Вышедшие номера
Лазерная генерация в субмонослойных структурах InAs/AlGaAs без внешнего оптического ограничения
Воловик Б.В.1,2,3, Цацульников А.Ф.1,2,3, Леденцов Н.Н.1,2,3, Максимов М.В.1,2,3, Сахаров А.В.1,2,3, Егоров А.Ю.1,2,3, Жуков А.Е.1,2,3, Ковш А.Р.1,2,3, Устинов В.М.1,2,3, Копьев П.С.1,2,3, Алферов Ж.И.1,2,3, Козин И.Э.1,2,3, Белоусов М.В.1,2,3, Bimberg D.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики, С.-Петербургский государственный университет, Петродворец
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 13 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Получены и исследованы структуры с набором плоскостей с субмонослойными внедрениями InAs в матрице AlGaAs. Мы наблюдали лазерную генерацию при оптическом возбуждении. Показано, что лазерная генерация осуществляется через основное состояние экситонов, локализованных на островках InAs, и может быть реализована без внешнего оптического ограничения активной области широкозонными слоями с меньшим показателем преломления. Низкая пороговая плотность возбуждения показывает, что подобные структуры могут использоваться для создания низкопороговых инжекционных лазеров видимого диапазона, экситонных волноводов и самосогласованных микрорезонаторов.