Исследовались процессы лазерного внедрения мелких доноров (алюминия и индия) и акцептора (сурьмы) в кристаллы CdTe (n,p~ 10¹⁵ cm^-3). Напыленные в вакууме на травленую поверхность кристаллов тонкие пленки легирующей примеси облучались рубиновым (lambda=0.694 mum) и Nd : YAG (lambda=1.06 mum) импульсным (длительностью импульса 20 ns) лазером в широком интервале энергий (0.1-1.8 J/cm²). Исследование облученных поверхностей производилось методами рентгеновского микроанализа, Оже-спектроскопии, термоэдс. Показано, что облучение Nd : YAG лазером приводит к однородному легированию алюминием приповерхностного слоя кристалла. При внедрении индия образуются преципитаты. Концентрация внедренных примесей достигает 10¹⁹-10²¹ cm^-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.