Взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с характеристиками генераторов на их основе
Усанов Д.А.1, Скрипаль А.В.1, Бабаян А.В.1
1Саратовский государственный университет
Поступила в редакцию: 3 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Впервые проведено теоретическое описание ранее экспериментально установленной закономерности, определяющей взаимосвязь сопротивления полупроводниковой структуры в слабых электрических полях с характеристиками генераторов на диодах Ганна. Установленная экспериментально закономерность представляет значительную практическую ценность, так как с ее использованием оказывается возможным по легко измеряемым параметрам диодов на постоянном токе прогнозировать основные характеристики диодных СВЧ-генераторов.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Авдеев А.А. // ЖТФ. 1995. Т. 65. В. 10. С. 194--198
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Авдеев А.А., Бабаян А.В. // Радиотехника и электроника. 1996. Т. 46. N 12. С. 1497--1500
- Билько М.И., Томашевский А.К., Шаров П.П., Баймуратов Е.А. Измерение мощности на СВЧ. М.: Сов. радио, 1976. 168 с
- Murayama K., Ohmi T. // Japan. J. Appl. Phys. 1973. V. 12. N 12. P. 1931--1940
- Mulmom P.J., Hobson G.S., Taylor B.C. Transferred electron devices. London, New York: Academic Press, 1972. 402 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук