Вышедшие номера
Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой GaAs
Алфёров Ж.И., Алейнер И.Л., Андреев В.М., Калиновский B.C., Сандлер Г.Л., Сейсян Р.П., Торопов А.А., Шубина Т.В., Хвостиков В.П.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.