"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными p-n-переходами
Брылевский В.И.1, Смирнова И.А.1, Родин П.Б.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2014 г.

Задержанный лавинный пробой высоковольтных кремниевых диодов впервые исследован с помощью экспериментальной установки со специально сконструированным резистивным ответвителем, являющимся частью высококачественного согласованного измерительного тракта. Исследованы три типа структур с одинаковыми геометрическими параметрами и близкими напряжениями стационарного пробоя 1.1-1.3 kV: p+-n-n+-структуры с резким p-n-переходом и два различных типа p+-p-n-n+-cтруктур с плавным переходом. При переключении всех структур в нагрузке формировался перепад напряжения амплитудой более киловольта и скоростью нарастания ~100 ps при напряжении пробоя около 2 kV. Однако переключение в состояние с низким (~150 V) остаточным напряжением обнаружено только для структур с резким переходом; для структур с плавным переходом напряжение уменьшалось только до величины ~1 kV, близкой к напряжению стационарного пробоя.
  • Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 15. С. 950--953
  • Grekhov I.V., Kardo-Sysoev A.F., Kostina L.S., Shenderey S.V. // Electron. Lett. 1981. V. 17. P. 422--423
  • Алфёров Ж.И., Грехов И.В., Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф., Корольков В.И., Степанова М.Н. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 18. С. 1089--1093
  • Levinshtein M., Kostamovaara J., Vainshtein S. // Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices. London: World Scientific, 2005
  • Kardo-Sysoev A.F. // New Power Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses, in Ultra-Wideband Radar Technology / Ed. J.D. Taylor. Boca Raton, London, New York, Washington: CRS Press, 2001
  • Focia R.J., Schamiloghu Е., Flederman C.B., Agee F.J., Gaudet J. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. V. 25. P. 138--144
  • Grekhov I.V. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2010. V. 38. P. 1118--1123
  • Rodin P., Rodina A., Grekhov I. // J. Appl. Phys. 2006. V. 98. P. 094 506(1--11)
  • Вайнштейн С.Н., Жиляев Ю.В., Левинштейн М.Е. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 16. С. 1526--1530
  • Кюрегян А.С. // ЖЭТФ. 2012. Т. 141. В. 5. С. 983--993
  • Грехов И.В., Родин П.Б. // Письма в ЖТФ. 2012. T. 41. В. 6. С. 87--94
  • Kюрегян А.С. // Письма в ЖТФ. 2005. T. 31. В. 24. С. 11--19
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.