Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2014, выпуск 3 » Статья стр. 12
<<<>>>
Резистивное переключение в структурах "металл-диэлектрик-металл" на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония
Горшков О.Н.1, Антонов И.Н.1, Белов А.И.1, Касаткин А.П.1, Михайлов А.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gorshkov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
PDF версия
Исследовано биполярное резистивное переключение в структурах "металл- диэлектрик-металл" на основе двухслойного диэлектрика, состоящего из слоя стабилизированного оксидом иттрия диоксида циркония (YSZ - yttria-stabilized zirconia) c содержанием Y2O3 12 mol.% и слоя GeOx. Показано, что встраивание в структуру дополнительного слоя GeOx приводит к существенному уменьшению разброса параметров резистивного переключения как при отрицательном, так и при положительном напряжениях. Структуры Au/Zr/GeOx/YSZ/TiN демонстрируют высокую стабильность отношения сопротивлений в высокоомном и низкоомном состояниях в процессе циклического переключения. Исследованные структуры могут быть использованы для создания элементов энергонезависимой памяти нового поколения.
  1. Waser R., Aono M. // Nature Mater. 2007. V. 6. P. 833
  2. Fujiwara K., Nemoto T., Rozenberg M.J., Nakamura Y., Takagi H. // Jpn. J. Appl. Phys. 2008. V. 47. P. 6266
  3. Kwak J.S., Do Y.H., Bae Y.C., Im H.S., Yoo J.H., Sung M.G., Hwang Y.T., Hong J.P. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 223 502
  4. Rozenberg M.J., Sanchez M.J., Weht R., Acha C., Gomez-Marlasca F., Levy P. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. P. 115 101
  5. Nian Y.B., Strozier J., Wu N.J., Chen X., Ignatiev A. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 98. P. 146 403
  6. Do Y.H., Kwak J.S., Bae Y.C., Jung K.H., Im H.S., Hong J.P. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. P. 093 507
  7. Lin C.-Y., Wu C.-Y., Wu C.-Y., Tseng T.-Y., Hu C. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. P. 094 101
  8. Sulimov V.B., Sokolov V.O. // J. Non-Cryst. Sol. 1995. V. 191. P. 260-280
  9. Горшков О.Н., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Камин В.А., Касаткин А.П. // Вестник Нижегородского университета. 2008. N 1. С. 30-34
  10. Cheng C.H., Chin A., Yeh F.S. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 52 905-52 907
  11. Tseng H.-C., Chang T.-C., Huang J.-J., Chen Y.-T., Yang P.-C., Huang H.-C., Gan D.-S., Ho N.-J., Sze S.M., Tsai M.-J. // Thin Solid Films. 2011. V. 520. P. 1656-1659

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme