Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния
Кукушкин С.А.1,2, Лукьянов А.В.1,2, Осипов А.В.1,2, Феоктистов Н.А.1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kukushkin_s@yahoo.com
Поступила в редакцию: 19 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Представлены результаты по выращиванию пленок карбида кремния на кремниевых пластинах большого диаметра 150 mm (6 дюймов) новым методом твердофазной эпитаксии. Выращенные пленки SiC на пластинах Si были исследованы с помощью спектральной эллипсометрии, SEM-микроскопии, рентгеновской дифракции и метода комбинационного (рамановского) рассеяния. Исследования показали, что слои SiC являются эпитаксиальными по всей поверхности 150-mm пластины. Пластины не напряжены, ровны, без изгибов. Полуширина рентгеновской кривой качания (FWHMomega-theta) пластин варьируется в пределах от 0.7o до 0.8o при толщине слоя 80-100 nm. Пластины пригодны для использования в качестве темплейтов для выращивания на их поверхности толстых пленок SiC, AlN, GaN, ZnO и других широкозонных полупроводников стандартными методами CVD, HVPE и MBE.
- Лебедев А.А. // Химия и жизнь. 2006. N 4. С. 14
- Silicon Carbide: A Review of Fundamental Questions and Applications to Current Device Technology / Ed. by W.J. Choyke, H.M. Matsunami, G. Pensl. V. 1--2. Berlin: Akademie, 1998
- Silicon Carbide: Materials Processing, and Devices / Ed. by Zhe Chuan Feng and Jian H. Zhao. V. 1--2. London, New York. 2004
- Fissel A. // Physics Reports. 2003. V. 379. P. 149
- Lebedev A.A. // Semiconductor Science and Technology. 2006. V. 21. R 17--R34
- Лучинин В.В., Таиров Ю.М. // Современная электроника. 2009. N 7. С. 12
- Tschumak E., Tonisch K., Pezold J., As D.J. // Materials Science Forum. 2009. N 615--617. С. 943
- Kwang Chul Kim and Chan Il Park, Jae II Roh, Kee Suk Nahm, Young Hun Seo // J. Vac. Sci. Technol. 2001. V. A 19(5). P. 2636--2641
- Severinov A., Lockeb C., Anzalonea R., Camardaa M., Pilusoa N., La Magnaa A., S.E. Saddowb, Abbondanzac G., D'Arrigoa G., La Viaa F. // ECS Transactions. 2011. V. 35. N 6. P. 99
- Nishino S., Powell J.A., Will H.A. // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 42. P. 460
- Ricciardi C., Aimo Boot E., Giorgis F., Mandracci P., Meotto U.M., Barucco G. // Appl. Surf. Sci. 2004. V. 238. P. 331
- Iacopi F., Walker G., Wang L., Malesys L., Ma S., Cunning B., Iacopi A. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 011 908
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А.. Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности: Патент на изобретение N 2363067, приоритет от 22.01.2008
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // Изв. РАН. Механика твердого тела. 2013. Т. 2. С. 122--136
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. N 2. P. 4909
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 12. С. 1575
- Жуков С.Г., Кукушкин С.А., Лукьянов А.В., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности, и реактор для осуществления способа: Заявка на изобретение, приоритет от 18.02.2013
- Калинкин И.П., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Способ обработки поверхности монокристаллической пластины кремния: Патент на изобретение N 2323503 РФ, приоритет 05.06.2006
- Сорокин Л.М., Веселов Н.В., Щеглов М.П., Калмыков А.Е., Ситникова А.А., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Кукушкин С.А. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 22. С. 88
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
