Вышедшие номера
Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния
Кукушкин С.А.1,2, Лукьянов А.В.1,2, Осипов А.В.1,2, Феоктистов Н.А.1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kukushkin_s@yahoo.com
Поступила в редакцию: 19 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Представлены результаты по выращиванию пленок карбида кремния на кремниевых пластинах большого диаметра 150 mm (6 дюймов) новым методом твердофазной эпитаксии. Выращенные пленки SiC на пластинах Si были исследованы с помощью спектральной эллипсометрии, SEM-микроскопии, рентгеновской дифракции и метода комбинационного (рамановского) рассеяния. Исследования показали, что слои SiC являются эпитаксиальными по всей поверхности 150-mm пластины. Пластины не напряжены, ровны, без изгибов. Полуширина рентгеновской кривой качания (FWHMomega-theta) пластин варьируется в пределах от 0.7o до 0.8o при толщине слоя 80-100 nm. Пластины пригодны для использования в качестве темплейтов для выращивания на их поверхности толстых пленок SiC, AlN, GaN, ZnO и других широкозонных полупроводников стандартными методами CVD, HVPE и MBE.