Модификация метода накачки заряда для контроля пространственного распределения радиационно-индуцированных поверхностных состояний в МОП транзисторах
Латышев А.В.1, Лисовский Г.А.1, Ломако В.М.1
1Институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко Белорусского государственного университета, Минск, Республика Беларусь

Поступила в редакцию: 12 августа 1991 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.