Вышедшие номера
Получение аморфных гидрогенизированных широкозонных полупроводников a-Si1-xCx : H в реакторе с вынесенной подложкой
Андреев А.А.1, Андреев П.А.1, Ганиев М.Х.1, Таиров Ю.М.1, Ханов Д.1, Цветков В.Ф.1, Чернышов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина), Ленинград
Поступила в редакцию: 26 мая 1991 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.