Вышедшие номера
Низкопороговые (Iп=3.0 мА, T=300 K) квантоворазмерные AlGaAs лазерные диоды с зарощенной гетероструктурой, полученные ЖФЭ
Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Андриеш A.M., Мереуцэ А.З., Сырбу А.В., Яковлев В.П.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.