Вышедшие номера
Сверхвысокое разрешение при послойном Оже-анализе гетероструктур In xGa 1- xAs/GaAs с глубоко залегающими квантовыми ямами
Дроздов М.Н.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Мастеров Д.В.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

  1. Hofmann S. J. Vac. Sci. Technol. 1991. V. A9. N 3. P. 1466--1476
  2. Wittmaack K. Vacuum. 1984. V. 34. N 1--2. P. 119--137
  3. Mathieu H.J. Topics in Current Physics. V. 37 / Thin Film and Depth Profile Analysis. Springer--Verlag. Berlin, 1984. Chap. 3
  4. Hofmann S. Practical Surface Analisis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy / Ed. by D. Briggs, M.P. Seah.J. Wiley \& Sons Ltd. 1983. Chap. 4. (Перевод: Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха. М.: Мир, 1987. 598 с.)
  5. Aleshkin V.Ya., Gusev S.A., Danyltsev V.M. et al. Nanostructures: Physics and Technology / International Symposium. Abstracts. St. Petersburg. Russia, June 24--28, 1996. P. 148--150
  6. Andreev S.S., Akhsakhalyan A.D., Drozdov M.N. et al. Thin Solid Films. 1995. V. 263. P. 169--174
  7. Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Салащенко Н.Н. и др. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 18. С. 1--7

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.