Действие высокочастотного электрического поля на поверхностную ориентацию нематического жидкого кристалла
Эпштейн В.Э.1, Эпштейн Э.М.1
1Hewlett-Packard Russia Москва
Поступила в редакцию: 4 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
Рассматривается влияние высокочастотного электрического поля на ориентацию неполярных молекул нематического жидкого кристалла на поверхности подложки. Электрическое поле параллельно подложке, взаимодействие молекулы с подложкой описывается потенциалом Рапини-Папуляра. Используется метод усреднения Капицы. При исходной (в отсутствие поля) гомеотропной ориентации эта ориентация с ростом амплитуды поля оказывается неустойчивой, а устойчивой становится планарная ориентация; существует также промежуточная область полей, где устойчивы обе ориентации, но одна из них метастабильна.
- Lin B., Taylor P.L. Phys. Lett. A. 1993. V. 172. P. 281--284
- Lin B., Taylor P.L. Liquid Cryst. 1994. V. 16. P. 831--843
- Lin B., Taylor P.L. J. Phys. (France), Ser. II. 1994. T. 4. P. 825--836
- Alexe-Ionescu A.L., Barbero G., Gabbasova Z. et al. Phys. Rev. E. 1994. V. 49. P. 5354--5358
- Капица А.Л. УФН. 1951. Т. 44. С. 7--20
- Магнус К. Колебания. М.: Мир, 1982. 304 с
- Рабинович М.И., Трубецков Д.И. Введение в теорию колебаний и волн. М.: Наука, 1984. 432 с
- Шмелев Г.М., Эпштейн В.Э. Изв. вузов. Физика. 1990. Т. 33. N 10. С. 118--119
- Боровский А.В., Коробкин В.В., Мухтаров Ч.К. ЖЭТФ. 1991. Т. 99. С. 715--720
- Боровский А.В., Коробкин В.В., Мухтаров Ч.К. ЖЭТФ. 1992. Т. 101. С. 1455--1462
- Боровский А.В., Коробкин В.В., Мухтаров Ч.К. ЖЭТФ. 1993. Т. 103. С. 1959--1969
- Rapini A., Papoular M. J. Phys. (France). Coll. 1969. Т. 30. P. C4
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Механика. М.: ГИФМЛ, 1958. 208 с
- Зельдович Б.Я., Табирян Н.В. УФН. 1985. Т. 147. С. 633--674
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук