"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование параметров слоев GaAs и Al xGa 1- xAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии в условиях сверхвысоких скоростей охлаждения раствора-расплава.
Абрамов А.В.1, Бер Б.Я.1, Дерягин Н.Г.1, Меркулов А.В.1, Третьяков Д.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург
Поступила в редакцию: 25 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

  • Абрамов А.В., Дерягин Н.Г., Долганов А.В., Зеленова О.В., Коробов В.А., Мизеров М.Н., Селиверстов О.В., Третьяков Д.Н., Фалеев Н.Н. Тез. докл. I Всесоюз. конф. по физическим основам твердотельной электроники. Л., 1989. Т. B. C. 56--57
  • Абрамов А.В., Дерягин Н.Г., Третьяков Д.Н., Фалеев Н.Н. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 23. С. 45--49
  • Hsieh J.J. J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 49--59
  • Черепин В.Т. Ионный микрозондовый анализ. Киев: Наукова думка, 1992. 343 с
  • Gao Y. Appl. Phys. 1988. V. 67. N 7. P. 3760--3762
  • Magee C.W., Harrington W.L., Botnick E.M. Int. J. Mass Spectrometry and Ion Processes. 1990. V. 103. N 1. P. 45--56
  • Елюхин В.А., Карпов С.Ю., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Письма в ЖТФ. 1978. Т. 4. В. 11. С. 629--633
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.