Омические контакты к SiC-6H n-типа проводимости на основе тонких пленок карбида кремния, осажденных методом магнетронного распыления
Андреев А.Н., Бабанин А.И., Кузнецов А.Н., Растегаева М.Г., Теруков Е.И., Челноков В.Е., Щеглов М.П.
Поступила в редакцию: 13 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
- Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., I.V. Chuiko. Proceeding in Physics, ed by G.L.Harris, M.G.Spencer, C.Y.Yang. Springer, Berlin, 1992
- Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L. Intern. Conf. on SiC and related materials, Washington. USA. 1993
- Dmitriev V.A., Irvine K., Spencer M., Kelner G. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 3. P. 318--320
- Rogachev N.A., Ishkalov J., Kuznetsov A.N., Terukov E.I.,\commes Trapeznikova I., Chelnokov V.E. Intern. Conf. on SiC and related materials, Washington, USA, 1993
- Rogachev N.A., Kuznetsov A.N., Terukov E.I., Chelnokov V.E. Intern. Conf. on SiC and related materials, Washington, USA, 1993
- Попов И.В., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Письма в ЖТФ. 1985. Т. 12. N 4. С. 240--243
- Reeves G.K. Solid--St. Electronics. 1980. V. 23. N 5. P. 487--489
- Babanin A.I., Lavrent'ev A.A. NATO Advanced Workshop on Wide Bandgap Electronic Material, Minsk, 1994, WP-2
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук