Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Высокотемпературные полевые транзисторы на основе фосфида галлия
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
- Palkuti L.C., Prince J.L., Glista A.S. IEEE Trans. V. CHMT-2. N 4.P. 405--412
- Palmer D.W., Ganyard F.P. IEEE Trans. 1978. V. CHMT-1. N 3. P. 219--222
- Palmer D.W., Heckman R.C. IEEE Trans. 1978. V. CHMT-1. N 4. P. 333--340
- Alferov J.I., Garbuzov D.Z., Trukan M.K., Zhiljaev Ju.V. J. Kris. \& Techn. 1967. N 4. P. 541--545
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
