"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
SiC полевой транзистор с малым пороговым напряжением
Аникин М.М.1, Лебедев А.А.1, Расстегаева М.Г.1, Савкина Н.С.1, Стрельчук А.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

  1. Аникин М.М., Гусева Н.В., Дмитриев В.А., Сыркин А.Л. Изв. АН СССР. Сер. Неорг. мат. 1984. Т. 20. С. 1768
  2. Аникин М.М., Иванов П.А., Растегаев В.П., Савкина Н.С., Сыркин А.П., Челноков В.Е. ФТП. 1993. Т. 27. В. 1. С. 102--107
  3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М., 1984. 455 с
  4. Аникин М.М., Иванов П.А., Сыркин А.Л., Царенков Б.В., Челноков В.Е. Письма ЖТФ. Т. 15. В. 16. С. 36--42
  5. Иванов П.А., Царенков Б.В. ФТП. 1991. Т. 25. В. 11. С. 1913--1921

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.