"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Длинноволновое очувствление GaP-фотодиодов посредством эпитаксиального заращивания структур слоем GaAs
Канская Л.М.1, Кечек А.Г.1, Криволапчук В.В.1, Мынбаева М.Г.1, Полетаев Н.К.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

  1. Афраилов М.А., Баранов А.Н., Дмитриев А.П., Михайлова М.П., Сморчкова Ю.П., Тимченко И.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П., Яссиевич И.Н. ФТП. 1990. Т. 24. В. 8. С. 1397--1406
  2. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. ФТП. 1991. Т. 25. В. 2. С. 276--282
  3. Klingenstein M., Kuhl J., Rosenzweig J., Moglestue C, Axmann A. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 22. P. 2503--2505
  4. Wada O., Nobuhara H., Hamaguchi H., Mikawa T., Takeuchi A., Fujii T. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 1. P. 16--17
  5. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под ред. Р.Дж.Киеса. М.: Радио и связь, 1985. 325 с
  6. Nakajima K., Sugimoto K., Hirohata T., Mizushima Y. Appl. Phys. Lett. V. 61. N 23. P. 2575--2576

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.