Вышедшие номера
Особенности спектральных и нагрузочных характеристик p-i-n преобразователей энергии beta-излучения на основе a-Si:H
Флоринский В.Ю.1, Феоктистов Н.А.1, Певцов А.Б.1, Косарев А.И.1, Виноградов А.Я.1, Пилатов А.Г.1, Морозов Л.Е.1, Голокоз П.П.1, Червинский В.Н.1, Ганшин В.М.1, Петренко Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

  1. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Под ред. И.Хамакавы, М.: Металлургия, 1986. 376 с
  2. Ключников А.А., Коломиец Н.Ф., Минчук Г.Я., Червинский В.Н. Принципы построения и применения металло-тритиевых структур. Киев: Наукова думка, 1992. 215 с
  3. Gutkowicz-Krusin D., Wronski C.R., Tiedje T. Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. P. 87
  4. Everhart T.E., Hoff P.H. J. Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 5837

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.