Вышедшие номера
Особенности магнитных свойств Co/Si/Co тонкопленочных систем
Шалыгина Е.Е.1,2, Харламова А.М.1,2, Рожновская А.А.1,2, Курляндская Г.В.1,2, Свалов А.В.1,2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: shal@magn.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

Представлены результаты исследования магнитных свойств Co/Si/Co тонкопленочных систем, полученных с помощью магнетронного распыления. Обнаружено, что поле насыщения изучаемых трехслойных образцов осциллирует по величине с изменением толщины кремниевого полупроводникового слоя. Полученные данные объяснены структурными особенностями Co/Si/Co образцов и наличием антиферромагнитного обменного взаимодействия между магнитными слоями через Si разделительный слой.
  1. Babich N., Broto J.M., Fert A., Nguyen Ven Dau F. et al. // Phys. Rev. Lett. 1988. V. 61. P. 2472--2475
  2. Parkin S.P., More N., Roche K.P. // Phys. Rev. Lett. 1990. V. 64. P. 2304--2307
  3. Grunberg P., Schreiber R., Pang Y., Brodsky M.B. et al. // Phys. Rev. Lett. 1986. V. 57. P. 2442--2445
  4. Shalygina E.E., Rojnovskaya A.A., Shalygin A.N. // Solid State Phenomena. 2012. V. 190. P. 514--517
  5. Stiles M.D. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. P. 7238--7258
  6. Bruno P. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P. 411--439
  7. Paul A., Buchmeir M., Burger D.E., Rucker U., Schneider C.M. // Phys. Rev. 2008. B77. P. 184 409--184 424
  8. Naik S.R., Rai S., Chattopahyay M.K. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 063 525--063 531
  9. Naik S.R., Rai S., Tiwari M.K., Lodha G.S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. V. 41. P. 115 307--115 312
  10. Lucinski T., Kopcewicz M., Hutten A. et al. // Mater. Sci. 2003. V. 21. P. 25--37
  11. Lucinski T., Wandziuk P., Stobieski F. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2004. V. 282. P. 248--251
  12. Grundy P.J., Fallon J.M., Blythe H.J. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 9566--9574
  13. Fallon J.M., Faunce C.A., Grundy P.J. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 2400--2407
  14. Ruterana P., Haudy P., Boher P. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 1033--1037
  15. Enkovaara J., Ayuela A., Nieminen R.M. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 16 018--16 022
  16. Tsay J.S., Yao Y.D., Liou Y., Lee S.F., Yang C.S. // JMMM. 2000. V. 209. P. 208--210
  17. Tsay J.S., Eu T.Y., Lin M.H., Yang C.S., Yao Y.D. // J. Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 102 506--102 508
  18. Kharmouche A., Cherif S.-M., Bourzami A., Layadi A., Schmerber G. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2004. V. 37. P. 2583--2587
  19. Sagdeo A., Rai S., Srivastava A.K., Lodha G.S., Rawat R Guen., K Le, Jonnard P. // J. Phys.: Condens. Mater. 2011. V. 23. P. 246 004--240 011
  20. Briner B., Landolt M. // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 73. P. 340--343
  21. Mattson J.E., Fillerton Fric E., Kumar S., Lee S.R. et al. // J. Appl. Phys. 1994. V. 10. P. 6169--6173
  22. Shalyguina E.E., Komarova M.A., Molokanov V.V. // ЖЭТФ. 2002. Т. 122. N 3. С. 593--599
  23. Chikazumi S. // Physics of Magnetism. New York--London--Sydney: John \& Willey Sons, Inc., 2001. P. 554
  24. Шалыгина Е.Е., Рожновска А.А., Шалыгин А.Н. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. С. 80--86
  25. Звездин А.К. // ФТТ. Т. 42. В. 1. С. 116--120

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.