Вышедшие номера
Влияние гетероструктуры In0.56Ga0.44P/Ge на диффузию фосфора в германии при формировании многокаскадного солнечного элемента
Кобелева С.П.1, Анфимов И.М.1, Юрчук С.Ю.1, Выговская Е.А.1, Жалнин Б.В.1
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва Научно-производственное предприятие "Квант", Москва
Email: kob@misis.ru
Поступила в редакцию: 7 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Изучали профили фосфора в германии, легированном галлием, полученные при формировании первого каскада трехкаскадного солнечного элемента на основе структур A3B5/Ge (Ga). Методом вторичной ионной масс-спектрометрии получены профили фосфора и галлия в германии после обработки в потоке фосфина и в структуре In0.01Ga0.99As/In0.56Ga0.44 P/Ge. Отмечено, что основное количество фосфора поступает из соединения In0.56Ga0.44P одновременно с диффузией галлия. Проведены расчеты диффузионных профилей фосфора в германии. Показано, что диффузия фосфора из буферного слоя In0.56 Ga0.44P, являющегося одновременно источником галлия, является координатно-зависимой и для ее описания необходимо привлечение математических моделей, учитывающих не только диффузионную, но и дрейфовую компоненту потока атомов фосфора.