"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние отжига на формирование high-k диэлектрика в системе W/ультратонкий HfO2/Si-подложка
Рудаков В.И.1, Богоявленская E.A.1, Денисенко Ю.И.1
1Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль
Email: valeryrudakov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Методом высокочастотного магнетронного распыления изготовлены структуры W(150 nm)/HfO2(5 nm)/Si(100), которые затем отжигались либо при 500oC в вакууме в течение 30 min, либо при 950oC в атмосфере аргона 12 s. Исследования вольт-фарадных характеристик структур показали, что высокотемпературный отжиг приводит к снижению максимальной удельной емкости в области аккумуляции (от 4.8· 10-6 до 3.2·10-6 F/cm2) и диэлектрической проницаемости (от 27 до 23). С помощью времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии установлено, что в ходе отжига наблюдается рост оксидной фазы WOx на границе раздела W/HfO2 и силикатной фазы HfSixOy на границе раздела HfO2/Si (100); при этом общая толщина оксидного слоя переходного состава превысила на 30% толщину исходной пленки HfO2.
  1. Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах / Отв. ред. А.Л. Асеев и В.А. Гриценко. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2011. 157 с
  2. Robertson J. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. V. 28. P. 265--291
  3. Jeong S.-W., Kim K.S., You M.T. et al. // J. Korean Phys. Soc. 2005. V. 47. P. S402--S403
  4. Jiang R., Li Z-F. // Chin. Phys. Lett. 2009. V. 26. N 5. P. 057101-(1-4)
  5. Tan T.-T., Liu Zh.-T., Liu W.-T. et al. // Chin Phys. Lett. 2008. V. 25. N 10. P. 3750--3752
  6. Kobayashi H., Imamura K., Fukayama K. et al. // Surf. Sci. 2008. V. 602. P. 1848--1953
  7. Preisler E.J., Guha S., Copel M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 25. P. 6230--6232
  8. Inoue T., Suzuki K., Miura H. // Proc. Int. Conf. Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). 2009. P. 198--202
  9. Рудаков В.И., Богоявленская Е.А., Денисенко Ю.И. и др. // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. N 6. С. 418--423
  10. Kevin J. Yang, Chenming Hu // IEEE Trans. on Elec. Dev. 1999. V. 46. N 7. P. 1500--1501

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.