"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире
Шемухин А.А.1, Балакшин Ю.В.1, Черныш В.С.1, Патракеев А.С.1, Голубков С.А.1, Егоров Н.Н.1, Сидоров А.И.1, Малюков Б.А.1, Стаценко В.Н.1, Чумак В.Д.1
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (НИИЯФ МГУ) Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Научно-исследовательский институт материаловедения, Зеленоград (ЗАО НИИМВ) ЗАО ЭПИЭЛ
Email: shemuhin@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Показано влияние энергии, дозы и температуры облучения КНС-структур ионами Si+, а также параметров рекристаллизационного отжига на кристалличность кремниевой пленки. Определены условия проведения имплантации и рекристаллизационного отжига.
  • Nakamura T., Matsuhashi H., Nagatomo Y. // Oki Technical Rev. 2004. V. 71 (4). P. 66
  • Golecki I., Madox R.L., Slica K.M. // J. Electron. Mater. 1984. V. 13. P. 373
  • Wang Q., Zan Y., Wang J., Yu Y. // Materials Science and Engineering. B. 1995. V. 29. P. 43--46
  • Александров П.А., Демаков К.Д., Шемардов С.Г., Кузнецов Ю.Ю. // ФТП. 2010. Т. 44 (10). С. 1433
  • Воротынцев В.М., Шолобов Е.Л., Герасимов В.А. // ФТП. 2011. Т. 45 (12). С. 1662
  • Тулинов А.Ф., Чеченин Н.Г., Бедняков А.А., Бурдель К.К. и др. Оборудование и методы, используемые в НИИЯФ МГУ для модификации и контроля свойств полупроводниковых и других материалов: Препринт НИИЯФ МГУ 88-57/76. М., 1988. 24 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.