"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование нанопроволок селенида свинца по механизму "пар-жидкость-кристалл" под накладной маской при плазменной обработке
Зимин С.П.1, Горлачев Е.С.1, Амиров И.И.1, Наумов В.В.1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Ярославский филиал Физико-технологического института РАН
Email: zimin@uniyar.ac.ru
Поступила в редакцию: 4 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Представлены результаты по формированию нанопроволок PbSe под накладной маской в ходе обработки эпитаксиальных пленок селенида свинца в плотной аргоновой плазме высокочастотного индукционного разряда низкого давления. Анализируются результаты сканирующей электронной микроскопии и энерго-дисперсионного рентгеновского анализа. Предложена физическая модель, объясняющая явление локального формирования нанопроволок селенида свинца по механизму каталитического роста "пар-жидкость-кристалл".
  1. Xia Y., Yang P., Sun Y., Wu Y., Mayers B., Gates B., Yin Y., Kim F., Yan H. // Adv. Mater. 2003. V. 15. P. 353
  2. Yang P., Yan R., Fardy M. // Nano Lett. 2010. V. 10. N 5. P. 1529
  3. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89
  4. Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2009. 352 с
  5. Дубровский В.Г., Назаренко М.В. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 9. С. 75
  6. Ross F.M. // Rep. Prog. Phys. 2010. V. 73. P. 114 501
  7. Dziawa P., Sadowski J., Dluzewski P., Lusakowska E., Domukhovski V., Taliashvili B., Wojciechowski T., Baczewski L.T., Bukala M., Galicka M., Buczko R., Kasman P., Story T. // Cryst. Growth Design. 2010. V. 10. N 1. P. 109
  8. Lazenka V.V., Bente K., Kaden R., Ivanov V.A., Gremenok V.F. // J. Adv. Microsc. Res. 2011. V. 6. N 1. P. 1
  9. Zhu J., Peng H., Chan C.K., Jarausch K., Zhang X.F., Cui Y. // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 1095
  10. Bierman M.J., Lau Y.K.A., Jin S. // Nano Lett. 2007. V. 7. N 9. P. 2907
  11. Lau Y.K.A., Chernak D.J., Bierman M.J., Jin S. // J. Am. Chem. Soc. 2009. V. 131. P. 16 461
  12. Jung H., Kuljic R., Stroscio M.A., Dutta M. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 153 106
  13. Zogg H., Arnold M., Felder F., Rahim M., Ebneter C., Zasavitskiy I., Quack N., Blunier S., Dual J. // J. Electron. Mater. 2008. V. 37. P. 1497
  14. Дмитриев А.В., Звягин И.П. // УФН. 2010. Т. 180. N 8. С. 821.
  15. Zimin S.P., Gorlachev E.S., Amirov I.I., Zogg H. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. V. 42. P. 165 205
  16. Zimin S.P., Amirov I.I., Gorlachev E.S. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26. P. 055 018
  17. Пляцко C.В. // ФТП. 1998. Т. 32. N 3. С. 299
  18. Ma J.G., Curtis M.E., Zurbuchen M.A., Keay J.C., Weng B.B., Li D.H., Zhao F.H., Johnson M.B., Shi Z. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. P. 455 411.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.