Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2011, выпуск 17 » Статья стр. 26
<<<>>>
Особенности технологического облучения электронами кремниевых p-n-структур большой площади
Марченко И.Г.1, Жданович Н.Е.1
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Email: march@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 14 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
PDF версия
Исследовано влияние облучения ускоренными электронами (4 MeV) через защитные маски, формирующие зоны повышенной рекомбинации (ERZ) в базовой области p+-n-n+-структур, на основные электрофизические характеристики кремниевых диодов, рассчитанных на токи до 600 A. Показано, что локальное облучение диодной структуры большой площади по сравнению с облучением всей структуры улучшает соотношение между временем обратного восстановления (trr) и потерями энергии в проводящем состоянии (UF) при снижении чувствительности обратного тока (IR) диода к температуре. Установлена зависимость соотношения trr, UF и IR в локально облученных структурах от условий эксперимента (размера ERZ).
  1. Hazdra P., Vobecky J., Dorschner H., Brand K. // Microelectronics J. 2004. V. 35. P. 249--257
  2. Коршунов Ф.П., Марченко И.Г., Жданович Н.Е. // Изв. АН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук. 1997. N 1. С. 117--121
  3. Губарев В.Н., Сурма А.М., Ковров А.В., Семенов А.Ю. // Прикладная физика. 2001. N 4. С. 85--92
  4. Козлов В.А., Козловский В.В. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 7. С. 769--795
  5. Hazdra P., Vobecky J. // Sol. St. Electron. 1994. V. 37. P. 127--135
  6. Lax B., Neustadter S.F. // J. Appl. Phys. 1954. V. 25. N 9. P. 1148--1154
  7. Грехов И.В., Костина Л.С., Сергеев В.Г. // ФТП. 1971. Т. 5. В. 7. С. 1409--1414
  8. Марченко И.Г., Жданович Н.Е. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 10. С. 45--51
  9. Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Орлова М.Н. и др. // ВАНТ. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. В. 1--2. С. 29--37
  10. Горбань А.Н., Кравчина В.В., Гомольский Д.М., Солодовник А.И. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2008. N 3. С. 36--40

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme