Вышедшие номера
Анизотропия диэлектрических потерь в монокристаллах Al2O3 и SiO2
Егоров В.Н.1, Масалов В.Л.1, Ожогов И.Б.1
1Восточно-Сибирский филиал Всероссийского НИИ физико-технических и радиотехнических измерений, Иркутск
Email: egorov@niiftri.irk.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.

Рассматриваются методика и результаты измерения тангенса угла диэлектрических потерь в интервале температур 80-373 K в одноосных анизотропных монокристаллах Al2O3 на частоте 11 GHz, SiO2 на частоте 39 GHz и в изотропном монокристалле Y3Al5O12 (YAG) при комнатной температуре на частотах 9-15 GHz. Измерения проведены методом диэлектрического резонатора на азимутальных колебаниях двух классов: HE (квази-E) и EH (квази-H), что позволило выявить анизотропию дилектрических потерь в монокристаллах AL2O3, SiO2. Потери вдоль оптической оси кристаллов существенно ниже потерь в поперечной плоскости в исследованном интервале температур. В монокристалле YAG добротность колебаний обоих классов при близких частотах одинакова, что соответствует изотропным потерям. Диэлектрические потери в YAG возрастают пропорционально частоте. PACS: 78.20.Ci, 77.22.-d, 84.40.-x
  1. Брагинский В.Б., Панов В.И., Тимашов А.В. // ДАН СССР. 1982. Т. 267. N 1. С. 74
  2. Буньков С.Н., Вторушин Б.А., Егоров В.Н. и др. // РЭ. 1987. N 5. С. 1071
  3. Егоров В.Н., Константинов В.И., Подсосонная О.В. // Тез. докл. Всесоюзн. cимп. "Квантовые стандарты частоты радио- и оптического диапазонов". 27--29 мая 1987 г. М.: ФИАН, 1987. С. 72
  4. Власов С.Н., Копосова Е.В., Паршин В.В. // Изв. вузов. Радиофизика. 1996. Т. 39. N 5. С. 615
  5. Добромыслов В.С., Взятышев В.Ф. // Тр. Моск. энерг. ин-та. 1973. В. 161. С. 78
  6. Егоров В.Н. // ПТЭ. 2007. Т. 50. N 2. С. 5--38

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.