Вышедшие номера
Верхняя оценка коэффициента конверсии лазерно-плазменного источника коротковолнового излучения для нанолитографии
Калмыков С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Serguei.Kalmykov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Лазерная плазма рассматривается в качестве источника излучения в EUV-диапазоне для нужд нанолитографии. В предположении плазмы, излучающей как черное тело, получена верхняя оценка коэффициента конверсии такого источника. Рассматриваются перспективы повышения эффективности реальных плазм, используемых в этом качестве. PACS: 52.38.Dx, 52.50.Jm
  1. Сейсян Р.П. // ЖТФ. 2005. Т. 75. С. 1
  2. Домрачева И.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 22. С. 9
  3. Schriever G. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. V. 17. N 5. P. 2058
  4. Diefendorff K. Extreme Lithography (6/19/2000). <http://www.mpronline.com>
  5. Bakshi V. EUV Sources for Lithography. SPIE Press. Bellingham, WA, USA, 2006
  6. Калмыков С.Г. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 17. С. 65
  7. Арцимович Л.А., Сагдеев Р.З. Физика плазмы для физиков. М., 1979

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.