"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Инжекционные лазеры на квантовых точках с высоким оптическим усилением и длиной волны излучения более 1300 nm
Новиков И.И.1,2,3,4, Гордеев Н.Ю.1,2,3,4, Максимов М.В.1,2,3,4, Жуков А.Е.1,2,3,4, Шерняков Ю.М.1,2,3,4, Устинов В.М.1,2,3,4, Крыжановская Н.В.1,2,3,4, Паюсов А.С.1,2,3,4, Крестников И.Л.1,2,3,4, Лифшиц Д.А.1,2,3,4, Михрин С.С.1,2,3,4, Ковш А.Р.1,2,3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11,, Dortmund, Germany
Email: novikov@switch.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

Созданы и исследованы полупроводниковые лазеры на квантовых точках InAs/GaAs с максимальным коэффициентом модального усиления 46 cm-1 на длине волны 1325 nm за счет увеличения фактора оптического ограничения и оптимизации параметров роста. Модальное усиление превысило 20 cm-1 в диапазоне длин волн 1315-1345 nm при плотности тока 500 A/cm2. PACS: 78.20.Bh, 85.60.-q, 85.60.Bt, 85.60.Jb, 42.70.Qs, 42.60.By
  • Maximov M.V., Ledentsov N.N. // Dekker Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology. New York: Taylor \& Fransis Group, 2004
  • Salhi A., Fortunato L., Martiradonna L., Cingolani R., De Vittorio M., Passaseo A. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 123111
  • Amano T., Aoki S., Sugaya T., Komori K., Okada Y. // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2007. V. 13. P. 1273-1278
  • Hakki B.W., Paoli T.L. // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P. 4113-4119
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.