Вышедшие номера
Двухстадийное легирование кремния изотопами фосфора и серы-32
Махкамов Ш.1, Турсунов Н.А.1, Каримов М.1, Саттиев А.Р.1, Ашуров М.1, Эрдонов М.1, Холмедов Х.М.1
1Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Ташкент
Email: makhkamov@inp.uz
Поступила в редакцию: 30 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

Предложен принципиально новый подход к получению твердых источников примеси серы для диффузионного легирования кремния двухстадийным методом, позволивший устранить эрозию поверхноcти полупроводниковых пластин. Суть этого подхода заключается в превращении радионуклида 32P, продиффундировавшего в приповерхностную область кремния после первой стадии диффузии (загонка), в изотоп 32S. Показано, что в образцах кремния, легированных изотопом 32S, появляются глубокие уровни с энергиями ионизации Ec-0.13, Ec-0.25, Ec-0.37 и Ec-0.50 eV донорного характера, обусловленными примесью серы. Установлено, что диффузия изотопа серы в p-Si приводит к изменению типа проводимости материла, а в n-Si снижает величину удельного сопротивления rho. PACS: 66.30.Jt, 71.55.Cn