Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP гетероструктур (lambda=1.1-1.2 mum)
Мурашова А.В.1, Пихтин Н.А.1, Фетисова Н.В.1, Лютецкий А.В.1, Вавилова Л.С.1, Васильева В.В.1, Мармалюк А.А.1, Рябоштан Ю.А.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Сигм Плюс, Москва
Email: a.murashova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений выращены квантово-размерные AlInGaAs/InP лазерные гетероструктуры, излучающие на длине волны 1.18 mum. Достигнута выходная непрерывная мощность излучения 40 mW при одномодовом режиме работы лазерного диода с шириной мезаполоска W=4 mum. Максимальная непрерывная мощность излучения составила 75 mW. PACS: 42.55.Px, 42.70.Hj
- Fujimoto Y., Nakatsuka M. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. Part 2. N 3B. P. L279
- Dvoyrin V.V., Mashinsky V.M., Bulatov L.I., Bufetov I.A., Shubin A.V., Melkumov M.A., Kustov E.F., Dianov E.M., Umnikov A.A., Khopin V.F., Yashkov M.V., Guryanov A.N. // Opt. Lett. 2006. V. 31. N 20. P. 2966
- Razdobreev I., Bigot L., Pureur V., Favre A., Bouwmans G., Douay M. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 031103
- Dianov E.M., Dvoryn V.V., Mashinsky V.M., Umnikov A.A., Yashkov M.V., Gur'yanov A.N. // Quantum Elect. 2005. V. 35. N 12. P. 1083
- Rulkov A.B., Ferin A.A., Popov S.V., Taylor J.R., Razdobreev I., Bigot L., Bouwmans G. // Optics Express. 2007. V. 15. N 9. P. 5473
- Sharma T.K., Zorn M., Bugge F., Hulsewede R., Erbert G., Weyers M. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2002. V. 14. N 7. P. 887
- Erbert G., Bugge F., Fricke J., Ressel P., Staske R., Sumpf B., Wenzel H., Weyers M., Trankle G. // IEEE J. of Sel. Top. in Quant. Electron. 2005. V. 11. N 5. P. 1217
- Михрин С.С., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Малеев Н.А., Васильев А.П., Семенова Е.С., Устинов В.М., Кулагина М.М., Никитина Е.В., Сошников И.П., Шерняков Ю.М., Лившиц Д.А., Крыжановская Н.В, Сизов Д.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Bimberg D., Алферов Ж.И. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 11. С. 1400
- Temkin H., Coblentz D., Logan R.A., Van der Zeil J.P., Tanbun-Ek T., Yadvish R.D. Sergent A.M. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 2402
- Bernussi A.A., Temkin H., Coblentz D.L., Logan R.A. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 67
- Seki S., Oohasi H., Sugiura H., Hirono T., Yokoyama K. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 1054
- Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 1001
- Belenky G.L., Donetsky D.V., Reynolds C.L., Kazarinov R.F., Shtengel G.E., Luryi S., Lopata J. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 1997. V. 9. P. 1558
- Asryan L.V., Gunko N.A., Polkovnikov A.S., Zegrya G.G., Suris R.A., Lau P.K., Makino T. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. P. 1131
- Adachi S. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds. John Wiley \& Sons Inc., 1992
- Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1457
- Sugiyama Y., Inata T., Fujii T., Nakata Y., Muto S., Hiyamizu S. // Japan. J. Appl. Phys. 1986. V. 30. P. L648
- Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5815
- Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Фетисова Н.В., Лешко А.Ю., Рябоштан Ю.А., Голикова Е.Г., Тарасов И.С. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 3. С. 65
- Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Голикова Е.Г., Рябоштан Ю.А., Тарасов И.С. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 11. С. 1393
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
