"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные исследования гетероструктур с набором сильно напряженных квантовых ям Ga0.76In0.24As, разделенных компенсирующими барьерами GaAsyP1-y
Шамахов В.В.1, Винокуров Д.А.1, Станкевич А.Л.1, Капитонов В.А.1, Зорина С.А.1, Николаев Д.Н.1, Мурашова А.В.1, Бондарев А.Д.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dmitry.vinokurov@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 22 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Согласно расчетной модели, данным фотолюминесцентных исследований и просвечивающей электронной микроскопии определен состав компенсирующих барьеров GaAs0.85P0.15 для структуры с 4 сильно напряженными квантовыми ямами Ga0.76In0.24As, исключающий релаксацию упругих напряжений в них. С использованием выбранных компенсирующих барьеров методом МОС-гидридной (металлоорганические соединения) эпитаксии были изготовлены лазерные гетероструктуры. На их основе получены лазерные диоды с коротким резонатором (~ 100 mum), излучающие на длине волны 1060 nm оптическую мощность 100 mW в непрерывном режиме генерации.
  • Ziari M., Verdiell J.-M., Archambault J.-L. et al. // Proc. Conf. Lasers Electro-Opt. (CLEO-97), Baltimore, MD, 1997, CMG1
  • Coldren L.A., Corzine S.W. Diode Lasers and photonic integrated circuits. N. Y.: Wiley, 1995
  • Matthews J.W., Mader S., Light T.B. // J. Appl. Phys. 1970. V. 41. P. 3800
  • Matthews J.W. // J. Vac. Sci. and Technol. 1975. V. 12. P. 126
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.