Вышедшие номера
Конструкция и технология изготовления арсенидгаллиевого монолитного p-i-n-диодного ограничителя для миллиметрового диапазона длин волн
Волков В.В.1, Иванова В.П.1, Кузьмичев Ю.С.1, Соловьев Ю.В.1
1ЗАО "Светлана
Поступила в редакцию: 14 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Предложены конструкция и технология изготовления монолитного диодного ограничителя миллиметрового диапазона длин волн на основе арсенидгаллиевых p-i-n-диодов. Монолитный ограничитель обеспечивает защиту приемной аппаратуры - радиолокационной станции (РЛС) при импульсных мощностях входного сигнала до 100-200 W, при этом потери пропускания не превышают 1 dB, а вносимое затухание в режиме ограничения составляет 16-18 dB.
  1. Ропий А.М., Старик А.М., Шутов К.К. Сверхвысокочастотные защитные устройства. М.: Радио и связь, 1993. 128 с
  2. Кошевая C.В., Кишенко Я.И., Смойловский М.И. // Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника. 1989. Т. 32. N 10. С. 56--58
  3. Alekseev E., Pavlidis D., Ziegler V., Berg M., Dickmann J. // GaAs IC Symposium. 1998. P. 177--180
  4. Armstrong A., Anand Y. // IEEE Trans. 1983. V. 31. N 2. P. 238--241
  5. Putnam J., Fukuda M., Staecker P., Yun Y.-Н. // IEEE. 1994. GaAs IC Symposium. P. 333--336
  6. Alekseev E., Pavlidis D., Dickmann J., Hackbarth T. // GaAs IC Symposium. 1996. P. 285--288
  7. Волков В.В., Малеев Н.А., Устинов В.М. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 3. С. 1238--1243

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.