Влияние толщины нанографитной пленки на импульс оптического выпрямления
Михеев Г.М.1, Зонов Р.Г.1, Образцов А.Н.1, Волков А.П.1
1Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Московский государственный университет Университет Йоенсуу, физический факультет, FIN, Йоенсуу, Финляндия
Email: gmmikheev@udmnet.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
Исследован эффект оптического выпрямления при импульсном лазерном облучении поверхности нанографитных пленок, выращенных на кремниевой подложке методом плазмохимического осаждения. Показано, что амплитуда импульсного оптического выпрямления (ИОВ), повторяющего форму наносекундного лазерного импульса, существенно зависит от толщины пленки и максимальна при ее толщине около 2.5 mum. Установлено, что при меньшей толщине пленки одновременно с ИОВ наблюдается фотоэлектрический сигнал микросекундной длительности, возникающий на кремниевой подложке. Для нанографитных пленок толщиной более 2.5 mum ИОВ наблюдается при полном отсутствии сигнала от кремниевой подложки, что позволяет использовать указанные пленки в качестве быстродействующего фотоприемника импульсного лазерного излучения в широком спектральном диапазоне.
- Tutt Lee W., Kost A. // Nature. 1992. V. 356. P. 225
- Smilowitz L., McBranch D., Klimov V., Robinson J.M. et al. // Optics Letters. 1996. V. 21. N 13. P. 226
- Elim H.I., Ji W., Ma G.H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 10. P. 1799--1801
- Chen G.X., Hong M.N., He Q., Chen W.Z. et al. // Appl. Phys. 2004. V. A79. P. 1079--1082
- Ильичев Н.Н., Образцова Е.Д., Гарнов С.В., Мосалаева С.Е. // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. С. 572--573
- Mikheev G.M., Zonov R.G., Obraztsov A.N., Svirko Yu.P. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 4854--4856
- Михеев Г.М., Зонов P.Г., Образцов А.Н., Свирко Ю.П. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 17. С. 88--94
- Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н., Волков А.П., Свирко Ю.П. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 3. С. 11--17
- Образцов А.Н., Волков А.П., Боронин А.И. и др. // ЖЭТФ. 2001. Т. 120. С. 970--997. (JETP. 2001. V. 93. P. 846)
- Obraztsov A.N., Zolotukhin A.A, Ustinov A.O. et al. // Carbon. 2003. V. 41. P. 836--839
- Павловский И.Ю., Образцов А.Н. // Приборы и техника эксперимента. 1998. N 1. С. 152--156
- Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Volkov A.P. et al. // Diamond and Related Materials. 1999. V. 8. P. 814--819
- Михеев Г.М., Малеев Д.И., Могилева Т.Н. // Квантовая электроника. 1992. Т. 19. N 1. С. 45--47 (Sov. J. Quantum Electron. 1992. V. 22. P. 37)
- Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Калюжный Д.Г., Попов А.Ю. // Приборы и техника эксперимента. 2003. N 3. С. 164
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук