Вышедшие номера
Квантовый каскадный лазер в поперечном магнитном поле. Модель открытой трехбарьерной активной зоны
Ткач Н.В.1,2, Бойко И.В.1,2, Сети Ю.А.1,2, Зегря Г.Г.1,2
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ktf@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 21 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

В модели трехбарьерной активной зоны отдельного каскада в поперечном магнитном поле предложена теория спектральных параметров и активной динамической проводимости квантового каскадного лазера. Показано, что в соответствии с экспериментом с увеличением магнитного поля до 8 T пик излучения смещается в область больших энергий, а его интегральная интенсивность резко уменьшается.
  1. Kazarinov R.F., Suris R.A. // Sov. Phys. Semicond. 1972. V. 6. P. 120
  2. Faist J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 538
  3. Bismuto A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. P. 021 103
  4. Blaser S., Diehl L., Beck M., Faist J. // Phisica E. 2000. V. 7. P. 33
  5. Bethe H.A., Salpeter E.E. Quantum mechanics of one- and two- electron atoms. Plenum Bubl. Corp., N.Y., 1977. 382 p
  6. Yong G., Li Y., Kong X., Wei C. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 17 249
  7. Elesin V.F. // JETP. 1999. V. 89. P. 377
  8. Pashkovskii A.B. // Semiconductors. 1995. V. 29. P. 893
  9. Pashkovskii A.В. // JETP Letters. 2009. V. 89. P. 30
  10. Tkach N.V., Seti Ju.A., Matijek V.A., Boyko I.V. // Semiconductors. 2012. V. 46. P. 376

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.